HiSilicon Kirin 9000 和 Qualcomm Snapdragon 835 处理器在规格和测试结果方面的差异。
HiSilicon Kirin 9000 有 8 个核心和 8 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 3.13 GHz。 发布日期 HiSilicon Kirin 9000 - Q4/2020。
Qualcomm Snapdragon 835 有 8 个内核和 8 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 3.13 GHz。 发布日期 Qualcomm Snapdragon 835 - Q2/2017。