HiSilicon Kirin 990 4G 和 Qualcomm Snapdragon 450 处理器在规格和测试结果方面的差异。
HiSilicon Kirin 990 4G 有 8 个核心和 8 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 2.09 GHz。 发布日期 HiSilicon Kirin 990 4G - Q3/2019。
Qualcomm Snapdragon 450 有 8 个内核和 8 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 2.09 GHz。 发布日期 Qualcomm Snapdragon 450 - Q3/2017。