HiSilicon Kirin 980 和 Qualcomm Snapdragon 650 处理器在规格和测试结果方面的差异。
HiSilicon Kirin 980 有 8 个核心和 8 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 1.90 GHz。 发布日期 HiSilicon Kirin 980 - Q4/2018。
Qualcomm Snapdragon 650 有 6 个内核和 8 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 1.90 GHz。 发布日期 Qualcomm Snapdragon 650 - Q1/2016。