HiSilicon Kirin 935 和 Qualcomm Snapdragon 888 Plus 处理器在规格和测试结果方面的差异。
HiSilicon Kirin 935 有 8 个核心和 8 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 2.20 GHz。 发布日期 HiSilicon Kirin 935 - Q1/2015。
Qualcomm Snapdragon 888 Plus 有 8 个内核和 8 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 2.20 GHz。 发布日期 Qualcomm Snapdragon 888 Plus - Q3/2021。