HiSilicon Kirin 910 和 Qualcomm Snapdragon 625 处理器在规格和测试结果方面的差异。
HiSilicon Kirin 910 有 4 个核心和 4 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 1.60 GHz。 发布日期 HiSilicon Kirin 910 - Q1/2014。
Qualcomm Snapdragon 625 有 8 个内核和 4 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 1.60 GHz。 发布日期 Qualcomm Snapdragon 625 - Q2/2016。