HiSilicon Kirin 650 和 Qualcomm Snapdragon 780G 处理器在规格和测试结果方面的差异。
HiSilicon Kirin 650 有 8 个核心和 8 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 2.00 GHz。 发布日期 HiSilicon Kirin 650 - Q2/2016。
Qualcomm Snapdragon 780G 有 8 个内核和 8 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 2.00 GHz。 发布日期 Qualcomm Snapdragon 780G - Q2/2021。