HiSilicon Kirin 620 和 Qualcomm Snapdragon 653 处理器在规格和测试结果方面的差异。
HiSilicon Kirin 620 有 4 个核心和 4 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 1.20 GHz。 发布日期 HiSilicon Kirin 620 - Q1/2015。
Qualcomm Snapdragon 653 有 8 个内核和 4 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 1.20 GHz。 发布日期 Qualcomm Snapdragon 653 - Q4/2016。