Différences entre les processeurs HiSilicon Kirin 650 et Qualcomm Snapdragon 855 en termes de spécifications et de résultats de test.
HiSilicon Kirin 650 a 8 cœurs et 8 threads. En mode Turbo Boost, il atteint la fréquence 2.00 GHz. Date de sortie HiSilicon Kirin 650 - Q2/2016.
Qualcomm Snapdragon 855 a 8 cœurs et 8 threads. En mode Turbo Boost, il atteint la fréquence 2.00 GHz. Date de sortie Qualcomm Snapdragon 855 - Q4/2018.