HiSilicon Kirin 928 和 Qualcomm Snapdragon 888 处理器在规格和测试结果方面的差异。
HiSilicon Kirin 928 有 8 个核心和 8 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 2.00 GHz。 发布日期 HiSilicon Kirin 928 - Q3/2014。
Qualcomm Snapdragon 888 有 8 个内核和 8 个线程。 在 Turbo Boost 模式下,它达到频率 2.00 GHz。 发布日期 Qualcomm Snapdragon 888 - Q1/2021。